| 高响应度InGaAs PIN光电探测器的研制 |
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| 引用本文： | 王承栋,杨集,冯士维,张跃宗,庄四祥,张弓长.高响应度InGaAs PIN光电探测器的研制[J].微纳电子技术,2007,44(7):196-197,209. |
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| 作者姓名： | 王承栋 杨集 冯士维 张跃宗 庄四祥 张弓长 |
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| 作者单位： | 1. 北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京,100022
2. 中国科学院,电子学研究所,传感技术国家重点实验室,北京,100080 |
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| 基金项目： | 北京市自然科学基金;教育部出国留学人员启动基金 |
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| 摘 要： | 分析了影响探测器响应度的各因素，在此基础上设计了InGaAs/InP PIN探测器的外延材料结构并优化了增透膜厚度和p-InP区欧姆接触电极图形的设计，以达到提高响应度的目的。采用MOCVD技术和闭管扩散等工艺制备了器件并测量了其响应度。结果显示，器件的光谱响应范围为1000-1600nm，在1500nm激光的辐照下，5V反向偏压时器件的响应度可达0.95A/W以上。
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| 关 键 词： | 探测器 光响应度 铟镓砷/磷化铟 |
| 文章编号： | 1671-4776（2007）07/08-0196-02 |
| 修稿时间： | 2007-04-02 |
Development of High Responsivity InGaAs PIN Photodetectors |
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| WANG Cheng-dong,YANG Ji,FENG Shi-wei,ZHANG Yue-zong,ZHUANG Si-xiang,ZHANG Gong-chang.Development of High Responsivity InGaAs PIN Photodetectors[J].Micronanoelectronic Technology,2007,44(7):196-197,209. |
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| Authors: | WANG Cheng-dong YANG Ji FENG Shi-wei ZHANG Yue-zong ZHUANG Si-xiang ZHANG Gong-chang |
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| Abstract: | In order to improve the detectors responsivity, the thickness of antireflective film and the shape of p-InP ohmic contact electrode were optimized on the basis of analyzing the factors effecting on responsivity. The device was implemented by MOCVD and closed-capsule diffusion method and the spectral response was measured. The detectors show perfect responsivity at wavelengths from 1000 nm to 1600 nm. At the wavelength of 1500 nm and at 5 V reverse bias, the responsivity is over 0.95A/W. |
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| Keywords: | detector photo responsivity InGaAs/InP |
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