碱性铜抛光液在CMP工艺中的性能评估 |
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引用本文: | 袁浩博,刘玉岭,蒋勐婷,刘伟娟,陈国栋.碱性铜抛光液在CMP工艺中的性能评估[J].微纳电子技术,2014(6):404-408. |
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作者姓名: | 袁浩博 刘玉岭 蒋勐婷 刘伟娟 陈国栋 |
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作者单位: | 河北工业大学微电子研究所; |
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基金项目: | 国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308) |
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摘 要: | 研究了一种碱性铜抛光液,其基本组分是硅溶胶磨料、新型FA/O V型螯合剂、非离子表面活性剂和氧化剂(H2O2)。在压力为2 psi(1 psi=6.895 kPa)、抛头转速与抛盘转速分别为97和103 r/min、流量为300 mL/min的条件下,分析了铜膜去除速率随着螯合剂和氧化剂体积分数增加的作用规律。结果表明,加入体积分数2%的螯合剂和体积分数3%的氧化剂时,抛光液具有较好的自钝化能力和较高的铜膜去除速率。同时,研究了工艺参数在抛光过程中对去除速率和片内非均匀性(WIWNU)的影响,平坦化实验的抛光工艺选择压力1.5 psi、抛头和抛盘转速分别为87和93 r/min、流量300 mL/min。实验结果表明:此种抛光液在上述工艺条件下,抛光结束时剩余高低差为63.7 nm,具有较好的平坦化效果,对抛光液商业化提供了参考价值。
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关 键 词: | 碱性铜抛光液 去除速率 片内非均匀性(WIWNU) 高低差 平坦化 |
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