| 纳米硅二极管的独特性能 |
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| 引用本文： | 何宇亮.纳米硅二极管的独特性能[J].微纳电子技术,2002,39(1):33-36. |
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| 作者姓名： | 何宇亮 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系,江苏,南京,210093 |
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| 摘 要： | 摘要:使用PECVD薄膜淀积技术制成的纳米硅薄膜(nc-Si∶H)具有优异的性能。把纳米硅薄膜淀积在异型的单晶硅衬底上,制成了nc-Si/c-Si异质结二极管。研制成的纳米硅二极管具有许多优于传统硅二极管的独特性能。
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| 关 键 词： | 纳米硅薄膜 异质结 二极管 |
| 文章编号： | 1671-4776(2002)01-0033-04 |
| 修稿时间： | 2001年10月6日 |
Strange features of nano crystalline silicon diode |
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| HE Yu-liang.Strange features of nano crystalline silicon diode[J].Micronanoelectronic Technology,2002,39(1):33-36. |
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| Authors: | HE Yu-liang |
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| Abstract: | The nano-crystalline silicon films (nc-Si∶H)made by PECVD method possessed a series of novel properties.With the nc-Si∶H film deposited on the opposite type of single silicon(C-Si )wafers,nc-Si/c-Si heterojunction diodes are fabricated. |
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| Keywords: | nano-crystalline silicon film heterojunction diode |
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