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垂直双栅MOSFET的性能设计和仿真分析
引用本文:李青,王昊鹏,荆发标.垂直双栅MOSFET的性能设计和仿真分析[J].电子设计工程,2019,27(20).
作者姓名:李青  王昊鹏  荆发标
作者单位:中国人民解放军31432部队 辽宁沈阳110071;中国人民解放军31432部队 辽宁沈阳110071;中国人民解放军31432部队 辽宁沈阳110071
摘    要:

关 键 词:垂直MOSFET  掺杂效应  平面MOSFET  电介质容器  短沟道效应
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