| Si/Si键合结构的电学性质测量及模拟 |
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| 引用本文： | 陈松岩,何国荣,谢生.Si/Si键合结构的电学性质测量及模拟[J].量子电子学报,2004,21(3):381-386. |
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| 作者姓名： | 陈松岩 何国荣 谢生 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理系,福建,厦门,361005 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助(60006004) |
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| 摘 要： | 研究Si／Si键合的电学性质对于界面研究和微电子器件的制备有着重要意义。分析了亲水处理方法键合的不同Si／Si键合结构的I—V特性，然后用SOS模型对n—Si／n—Si的C—V特性做了计算机辅助模拟，并和实际C—V曲线比较得出了平带电压VFB和界面态密度Din，这些结果对于键合的界面性质的了解和研究都是有意义的。
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| 关 键 词： | 半导体物理 键合 半导体／氧化层／半导体模型（SOS） 界面态 |
| 文章编号： | 1007-5461(2004)03-0381-06 |
| 收稿时间： | 2003/8/21 |
| 修稿时间： | 2003年8月21日 |
Electrical measurement and simulation of Si/Si bonding structure |
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| CHEN Song-yan,HE Guo-rong,XIE Sheng.Electrical measurement and simulation of Si/Si bonding structure[J].Chinese Journal of Quantum Electronics,2004,21(3):381-386. |
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| Authors: | CHEN Song-yan HE Guo-rong XIE Sheng |
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| Abstract: | Understanding of electrical performance for Si/Si bonding structure is of great importance for both study of interface and fabrication of micro-electronic elements. We firstly analyzed I-V performance for different Si/Si bonding structures, and then using SOS model made capacitance curve-fitting for n-Si/n-Si structure. Comparing theoretical curve with experimental data, we got shifting voltage VFB and interfacial states density Din. These results availed to study the interface of silicon bonding structure. |
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| Keywords: | semiconductor physics bonding Si/SiO2/Si model (SOS) interface states |
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