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准分子激光低温淀积金刚石薄膜
引用本文:董丽芳,赵庆勋.准分子激光低温淀积金刚石薄膜[J].量子电子学报,1997(6).
作者姓名:董丽芳  赵庆勋
作者单位:河北大学物理系!保定,071002,河北大学物理系!保定,071002
摘    要:金刚石薄膜以其优异的力、热、电、声、光等性质而具有广泛的应用前景。近年来,一系列化学气相淀积(CVD)技术被用于金刚石薄膜的合成,并取得了一系列的进展.但目前多数CVD方法中基片温度较高(大于800℃),这极大地限制了金刚石薄膜在光学、半导体和光电子学等方面的应用.因此,低温生长高质量的金刚石薄膜已成为目前重要的研究课题.本工作在EACVD基础上,辅以准分子激光(XeCl308nm)溅射C靶产生激光等离子体,在较低温度(500~600℃)下生长了高质量的晶态金刚石薄膜.工作气体为CH4/H2,浓度比为0.7%~1%;热灯丝温…

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