| 一种高精度低输出电压的带隙基准 |
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| 引用本文： | 居水荣,朱晓宇,刘锡锋,石径.一种高精度低输出电压的带隙基准[J].微电子学,2018,48(2):167-172. |
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| 作者姓名： | 居水荣 朱晓宇 刘锡锋 石径 |
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| 作者单位： | 江苏信息职业技术学院, 江苏 无锡 214153,中国电子科技集团公司 第58研究所, 江苏 无锡 214135,江苏信息职业技术学院, 江苏 无锡 214153,江苏信息职业技术学院, 江苏 无锡 214153 |
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| 基金项目： | 江苏省教育厅项目“江苏高校品牌专业建设工程一期工程(微电子技术)”(PPZY2015B190)；江苏省教育厅“青蓝工程”科技创新团队资助项目 |
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| 摘 要： | 分析了电流模式带隙基准的基本结构及其缺陷,提出了一种高阶温度补偿的改进型电流模式带隙基准。在此基础上,进一步给出了一种高低温分段二次补偿结构。分析了影响电源抑制比的因素,列出了一种高增益运放的结构和仿真结果。针对电流模式带隙基准中的线性补偿电阻,设计了熔丝调节结构。将该带隙基准应用在基于CSMC 0.18 μm CMOS工艺的16位高精度数模转换器中。测试结果表明,该带隙基准的输出电压为900 mV。在-40 ℃~125 ℃温度范围内,温度系数低至3×10-6/℃。低频时,电源抑制比达-109 dB。
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| 关 键 词： | 带隙基准源 高阶温度补偿 分段二次补偿 电源抑制比 熔丝调节 |
| 收稿时间： | 2017/4/26 0:00:00 |
A High Precision and Low Output Voltage Bandgap Reference |
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| JU Shuirong,ZHU Xiaoyu,LIU Xifeng and SHI Jing.A High Precision and Low Output Voltage Bandgap Reference[J].Microelectronics,2018,48(2):167-172. |
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| Authors: | JU Shuirong ZHU Xiaoyu LIU Xifeng and SHI Jing |
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| Affiliation: | Jiangsu College of Information Technology, Wuxi, Jiangsu 214153, P.R.China,No.58 Institute, China Electronic Technology Group Corporation, Wuxi, Jiangsu 214135, P.R.China,Jiangsu College of Information Technology, Wuxi, Jiangsu 214153, P.R.China and Jiangsu College of Information Technology, Wuxi, Jiangsu 214153, P.R.China |
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| Abstract: | |
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