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系统级封装的片上和板级协同ESD保护方案
引用本文:黄晓宗,干旭春,刘凡,刘志伟,黄文刚,朱冬梅,王国强,成辉.系统级封装的片上和板级协同ESD保护方案[J].微电子学,2018,48(2):141-145.
作者姓名:黄晓宗  干旭春  刘凡  刘志伟  黄文刚  朱冬梅  王国强  成辉
作者单位:电子科技大学 微电子与固体电子学院, 成都 610054;中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060,中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060,电子科技大学 微电子与固体电子学院, 成都 610054;中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060,电子科技大学 微电子与固体电子学院, 成都 610054,中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060,中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060,中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060,电子科技大学 微电子与固体电子学院, 成都 610054
摘    要:提出了一种面向系统级封装(SiP)的片上和板级协同设计方案,提升了电路的ESD性能。该SiP系统集成了若干驱动放大器、ADC和电阻电容。虽然集成的芯片引脚均可满足2 000 V的HBM ESD能力,但因为封装尺寸为0402的高精度薄膜电阻会受到损伤,所以SiP仅能承受600 V的ESD冲击。在SiP中增加了高速开关二极管1N4148,以泄放ESD冲击电流,使得该SiP集成电路系统的ESD能力从600 V提升至2 500 V。片上与板级协同设计方法能显著提升产品的可靠性,可广泛应用于SiP产品中。

关 键 词:ESD保护  片上和板级协同设计  寄生效应  系统级封装
收稿时间:2017/4/19 0:00:00

An ESD Protection Strategy with Chip-Level and Board-Level Co-Design Applied in SiP
HUANG Xiaozong,GAN Xuchun,LIU Fan,LIU Zhiwei,HUANG Wengang,ZHU Dongmei,WANG Guoqiang and CHENG Hui.An ESD Protection Strategy with Chip-Level and Board-Level Co-Design Applied in SiP[J].Microelectronics,2018,48(2):141-145.
Authors:HUANG Xiaozong  GAN Xuchun  LIU Fan  LIU Zhiwei  HUANG Wengang  ZHU Dongmei  WANG Guoqiang and CHENG Hui
Affiliation:School of Microelec.and Solid-State Elec., Univ.of Elec.Sci.and Technol.of China, Chengdu 610054, P.R.China;Sichuan Institute of Solid-State Circuits, China Elec.Technol.Group Corp., Chongqing 400060, P.R.China,Sichuan Institute of Solid-State Circuits, China Elec.Technol.Group Corp., Chongqing 400060, P.R.China,School of Microelec.and Solid-State Elec., Univ.of Elec.Sci.and Technol.of China, Chengdu 610054, P.R.China;Sichuan Institute of Solid-State Circuits, China Elec.Technol.Group Corp., Chongqing 400060, P.R.China,School of Microelec.and Solid-State Elec., Univ.of Elec.Sci.and Technol.of China, Chengdu 610054, P.R.China,Sichuan Institute of Solid-State Circuits, China Elec.Technol.Group Corp., Chongqing 400060, P.R.China,Sichuan Institute of Solid-State Circuits, China Elec.Technol.Group Corp., Chongqing 400060, P.R.China,Sichuan Institute of Solid-State Circuits, China Elec.Technol.Group Corp., Chongqing 400060, P.R.China and School of Microelec.and Solid-State Elec., Univ.of Elec.Sci.and Technol.of China, Chengdu 610054, P.R.China
Abstract:
Keywords:
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