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| 低电压∑-△调制器关键技术及设计实例 | |
| 引用本文： | 刘爱荣,孔耀辉,杨华中.低电压∑-△调制器关键技术及设计实例[J].微电子学,2008,38(5). |
| 作者姓名： | 刘爱荣 孔耀辉 杨华中 |
| 作者单位： | 清华大学电子工程系,北京100084 |
| 摘 要： | 介绍了低电压开关电容∑-△调制器的实现难点及解决方案，并设计了一种1V工作电压的∑-△调制器。在0．18μm CMOS工艺下，该∑-△调制器采样频率为6．25MHz，过采样比为156，信号带宽为20kHz；在输入信号为5．149kHz时，仿真得到∑-△调制器的峰值信号噪声失真比达到102dB，功耗约为5mW。 |
| 关 键 词： | ∑-△调制器 开关电容 CMOS电路 |
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