| 一种低功耗宽带低噪声放大器 |
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| 引用本文： | 杨中,蔡青松,樊晓华.一种低功耗宽带低噪声放大器[J].微电子学,2017,47(1):35-39. |
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| 作者姓名： | 杨中 蔡青松 樊晓华 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所, 北京 100029,中国科学院微电子研究所, 北京 100029,中国科学院微电子研究所, 北京 100029 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61474135) |
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| 摘 要： | 设计了一种应用于无线传感网的低功耗宽带低噪声放大器。通过使用电容交叉耦合的共栅放大器结构来提高增益,同时实现宽带输入阻抗匹配。运用PMOS和NMOS层叠结构实现电流复用,降低了功耗。该低噪声放大器采用0.18 μm SMIC CMOS工艺设计。后仿真结果表明,该放大器在1.8 V电源供电下的功耗仅为0.712 mW,在3 dB带宽0.043~1.493 GHz范围内的峰值增益为20.44 dB,最小噪声系数为4.024 dB,输入3阶交调点为-3.73 dBm。
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| 关 键 词： | 共栅结构 低噪声放大器 电流复用 宽带放大器 |
| 收稿时间： | 2016/2/29 0:00:00 |
A Low Power Wideband Low Noise Amplifier |
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| YANG Zhong,CAI Qingsong and FAN Xiaohua.A Low Power Wideband Low Noise Amplifier[J].Microelectronics,2017,47(1):35-39. |
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| Authors: | YANG Zhong CAI Qingsong and FAN Xiaohua |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, P. R. China,Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, P. R. China and Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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