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一种带曲率补偿的高精度带隙基准源设计
引用本文:张龙,冯全源,王丹.一种带曲率补偿的高精度带隙基准源设计[J].微电子学,2015,45(2):221-224.
作者姓名:张龙  冯全源  王丹
作者单位:西南交通大学 微电子研究所, 成都 610031,西南交通大学 微电子研究所, 成都 610031,西南交通大学 微电子研究所, 成都 610031
基金项目:国家自然科学基金资助项目(61271090);国家高技术研究发展计划(863计划)重大项目(2012AA012305)
摘    要:基于OKI 0.5 μm BCD工艺,设计了一种带曲率补偿的低温漂带隙基准源。采用Brokaw带隙基准核心结构,引入一个高阶效应的电流,对基准进行补偿。结合基准核心电路产生的无温度系数电压,利用简单的电路实现基准电流源的产生。仿真结果表明,在4.5 V供电电压下,-40 ℃~150 ℃温度范围内,基准电压的波动范围为1.1755~1.17625 V,温漂为3.9 ×10-6/℃,基准电流为3.635 μA,输出基准电流波动仅为2.2 nA,精度较高,低频时电路电源抑制比为-76 dB。

关 键 词:带隙基准    曲率补偿    高精度
收稿时间:2014/1/6 0:00:00
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