| 用于3.3 V电源静电防护的闩锁免疫LVTSCR |
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| 引用本文： | 杨波,杨潇楠,陈磊,陈瑞博,李浩亮.用于3.3 V电源静电防护的闩锁免疫LVTSCR[J].微电子学,2019,49(6):838-841, 846. |
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| 作者姓名： | 杨波 杨潇楠 陈磊 陈瑞博 李浩亮 |
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| 作者单位： | 郑州大学 信息工程学院, 郑州 450000 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61874099) |
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| 摘 要： | 传统LVTSCR的维持电压过低,器件容易受到闩锁效应的影响而无法正常关断。为了提高传统LVTSCR的维持电压,基于0.18 μm BCD工艺,提出一种内嵌P型浅阱的新型LVTSCR (EP-LVTSCR)。采用Sentaurus TCAD,对提出的器件进行建模和测试。结果表明,该EP-LVTSCR的维持电压从传统LVTSCR的1.52 V提升到3.85 V,具有免疫闩锁效应的能力,可应用于3.3 V电源的ESD防护。
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| 关 键 词： | 静电放电 维持电压 LVTSCR 闩锁效应 TCAD仿真 |
| 收稿时间： | 2018/12/28 0:00:00 |
A Latch-Up Immune LVTSCR for ESD Protection in 3.3 V Power Circuit |
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| YANG Bo,YANG Xiaonan,CHEN Lei,CHEN Ruibo,LI Haoliang.A Latch-Up Immune LVTSCR for ESD Protection in 3.3 V Power Circuit[J].Microelectronics,2019,49(6):838-841, 846. |
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| Authors: | YANG Bo YANG Xiaonan CHEN Lei CHEN Ruibo LI Haoliang |
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| Affiliation: | School of Information Engineering, Zhengzhou University, Zhengzhou 450000, P. R. China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ESD holding voltage LVTSCR latch-up effect TCAD simulation |
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