化学汽相沉积掺砷多晶硅膜初探

分别用AsH_3、SiH_4和Ar作源气和携带气体,在常规的水平高频加热汽相沉积系统中沉积了掺砷多晶硅膜。研究了影响膜的沉积速率及电阻率的诸因素。并与国外报导的同类工作作了比较。发现:一、掺砷多晶硅膜的电阻率与气相中As)/Si]的关系中确实存在有一最小值。即随着气相中As]/Si]的不断增加,多晶硅膜的电阻率下降,但到某一值后,反而会随着气相中的As]/Si]增加而增加。二、除气相中的As]/Si]、晶粒大小等影响掺砷多晶硅膜的电阻率以外,气体中的含水量对沉积后掺砷多晶硅膜的电阻率影响颇大。三、俄歇能谱分析发现高掺砷多晶硅膜中的氧含量和砷含量相当。认为该现象的出现和沉积时气相中AsH_3的存在有关。并可能是目前不易制得低电阻率(≤10~(-3)Ωcm)掺砷多晶硅膜的原因。