| Pt/Ti/Si三元固相反应生长PtSi过程的实验研究 |
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| 引用本文： | 王玉花,王燕,田立林.Pt/Ti/Si三元固相反应生长PtSi过程的实验研究[J].微电子学,2002,32(6):438-441. |
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| 作者姓名： | 王玉花 王燕 田立林 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所,北京,100084 |
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| 摘 要： | 采用离子溅射方法在硅衬底上淀积Pt/Ti/Si多层结构,研究了不同退火温度(500℃和800℃)、相同退火时间(30 min)固相反应形成PtSi薄膜的工艺.通过XRD、AES等测试方法,研究了原子的互扩散和反应过程.结果表明,在500℃退火时,由于Pt-Ti-O-Si过渡层的存在,使得Pt和Si反应不够充分,生成物中有部分Pt2Si存在,而800℃退火时,由于过渡层Ti与Si反应生成TiSi2,消耗了大量的Si,使得Pt与Si反应也不够充分.根据上述实验,给出了Pt/Ti/Si三元固相反应在不同退火温度下应采取的工艺务件.
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| 关 键 词： | PtSi薄膜 离子溅射 导电薄膜 固相反应 炉退火 |
| 文章编号： | 1004-3365(2002)06-0438-04 |
| 修稿时间： | 2001年12月10 |
An Experimental Study on Growth Process of PtSi/Si by Pt/Ti/Si Multilayer Solid-State Reaction |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PtSi film Ion sputtering Conducting film Solid-state reaction Furnace annealing |
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