| Nb∶SrTiO3阻变单元及1T1R复合结构的电离辐射总剂量效应研究 |
| |
| 引用本文： | 单月晖,连潞文,高媛,魏佳男,杜翔,唐新悦,罗婷,谭开洲,张培健.Nb∶SrTiO3阻变单元及1T1R复合结构的电离辐射总剂量效应研究[J].微电子学,2022,52(6):1033-1038. |
| |
| 作者姓名： | 单月晖 连潞文 高媛 魏佳男 杜翔 唐新悦 罗婷 谭开洲 张培健 |
| |
| 作者单位： | 军委装备发展部, 北京 100034;中国人民解放军 海军八O七厂, 北京 102401;中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060;中国电子科技集团公司 第二十九研究所, 成都 610072 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(12105252)；重庆市自然科学基金资助项目(cstc2021jcyj-bsh0246)；国防工业抗辐照应用技术创新基金资助项目(KFZC2020020702) |
| |
| 摘 要： | 开展了Nb∶SrTiO_(3)阻变单元及1T1R复合结构的X射线总剂量效应实验研究。结果表明,Nb∶SrTiO_(3)阻变单元在累积剂量达到10 Mrad(Si)时依然能够保持良好的阻变特性,高、低阻态未发生逻辑混乱。1T1R复合结构中的NMOS选通晶体管对电离辐射较为敏感,在栅氧化层中辐射感生氧化物陷阱电荷的作用下,NMOS器件阈值电压逐渐向负方向漂移,泄漏电流逐渐增加,进一步导致关态条件下(V_(G)=0 V)对阻变存储单元的错误读写。通过选用抗辐射加固NMOS选通晶体管,可显著提升1T1R复合结构的抗总剂量能力。
|
| 关 键 词： | Nb∶SrTiO_(3)阻变单元 总剂量效应 1T1R X射线辐射 |
| 收稿时间： | 2022/9/5 0:00:00 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《微电子学》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《微电子学》下载全文 |
|
