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MOSFET的热载流子效应及其表征技术
引用本文:赵要,胡靖,许铭真,谭长华.MOSFET的热载流子效应及其表征技术[J].微电子学,2003,33(5):432-438.
作者姓名:赵要  胡靖  许铭真  谭长华
作者单位:北京大学微电子学研究所,北京,100871
基金项目:国家攻关项目基金(G2000-036503)
摘    要:介绍了热载流子引起MOS器件退化的机制及其退化模型、最大应力模式和典型的寿命预测模型等,并对器件退化的表征技术进行了概述。

关 键 词:MOSFET  热载流子效应  可靠性  表征技术  退化模型  寿命预测  场效应晶体管
文章编号:1004-3365(2003)05-0432-07
修稿时间:2002年9月19日

HCI Effect of MOSFET's and Its Characterization Technologies
Abstract:
Keywords:Reliability  Hot carrier effect  MOSFET  Life prediction model  Characterization technology
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