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责任编辑
分类号
杂志ISSN号
MOSFET的热载流子效应及其表征技术
引用本文:
赵要,胡靖,许铭真,谭长华.MOSFET的热载流子效应及其表征技术[J].微电子学,2003,33(5):432-438.
作者姓名:
赵要
胡靖
许铭真
谭长华
作者单位:
北京大学微电子学研究所,北京,100871
基金项目:
国家攻关项目基金(G2000-036503)
摘 要:
介绍了热载流子引起MOS器件退化的机制及其退化模型、最大应力模式和典型的寿命预测模型等,并对器件退化的表征技术进行了概述。
关 键 词:
MOSFET
热载流子效应
可靠性
表征技术
退化模型
寿命预测
场效应晶体管
文章编号:
1004-3365(2003)05-0432-07
修稿时间:
2002年9月19日
HCI Effect of MOSFET's and Its Characterization Technologies
Abstract:
Keywords:
Reliability
Hot carrier effect
MOSFET
Life prediction model
Characterization technology
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