| 硅深槽ICP刻蚀中刻蚀条件对形貌的影响 |
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| 引用本文： | 吕垚,李宝霞,万里兮.硅深槽ICP刻蚀中刻蚀条件对形貌的影响[J].微电子学,2009,39(5). |
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| 作者姓名： | 吕垚 李宝霞 万里兮 |
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| 作者单位： | 中国科学院,微电子研究所,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展(863)计划资助项目 |
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| 摘 要： | 以SF6/C2 H4为刻蚀气体,使用Corial200IL感应耦合等离子体(ICP)刻蚀系统,进行Si等离子刻蚀技术研究.通过调节刻蚀气体SF6与侧壁钝化保护气体C2H4的流量比和绝对值等工艺参数,对深Si刻蚀的形貌以及侧壁钻蚀情况进行改善,使该设备能够满足深硅刻蚀的基本要求,解决MEMS工艺及TSV工艺中的深硅刻蚀问题.实验结果表明,Corial200IL系统用SF6作等离子体刻蚀气体,对Si的刻蚀具有各向同性;C2H4作钝化气体,能够对刻蚀侧壁进行有效的保护,但由于C2H4的含量直接影响刻蚀速率和选择比,需对其含量及配比严格控制.研究结果为:SF6含量为40 sccm、C2H4含量为15 sccm时能够有效控制侧壁钻蚀,且具有较大的选择比,初步满足深硅槽刻蚀的条件.
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| 关 键 词： | 硅刻蚀 深槽刻蚀 刻蚀形貌 刻蚀速率 选择比 |
Effects of Technical Parameters on Etching Rate and Selectivity of Si Deep Trench Using ICP Etching |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ICP |
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