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| 基于VDMOS结构的浮栅MOS存储机理的核辐射探测器 | |
| 引用本文： | 郭群英,周坤.基于VDMOS结构的浮栅MOS存储机理的核辐射探测器[J].集成电路通讯,2008,26(3). |
| 作者姓名： | 郭群英 周坤 |
| 作者单位： | 中国兵器工业第214研究所,蚌埠233042 |
| 摘 要： | 本文介绍基于VDMOS结构的浮栅MOS管存储机理核辐射探测器的基本概念，简要介绍了浮栅MOS管的结构设计、制作和测试。 |
| 关 键 词： | VDMOS管 浮栅MOS管 FN（Flowler—Nordheim）隧道效应 开启电压 |
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