| VHF-PECVD法制备P型微晶硅锗的研究 |
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| 引用本文： | 尚泽仁,张建军,张丽萍,胡增鑫,孙建,薛俊明,赵颖,耿新华.VHF-PECVD法制备P型微晶硅锗的研究[J].光电子．激光,2008,19(8). |
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| 作者姓名： | 尚泽仁 张建军 张丽萍 胡增鑫 孙建 薛俊明 赵颖 耿新华 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划"973"资助项目
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国家自然科学基金重点资助项目
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教育部留学回国人员科研启动基金资助项目 |
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| 摘 要： | 以SiH4和GeF4为反应气体,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)方法制备了P型微晶硅锗(P-μc-Si1-xGex)薄膜.研究GeF4浓度对P型微晶硅锗材料组分、结构及电学特性的影响.随GeF4浓度的增加,薄膜中的锗含量增加,暗电导和晶化率先增加,后减小;在薄膜厚度为72 nm,GeF4浓度为4%时,得到了电导率达1.68 S/cm,激活能为0.047 eV,晶化率为60%,在长波区域的平均透过率超过0.9的P型微晶硅锗.
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| 关 键 词： | P型微晶锗硅 VHF-PECVD 窗口层 太阳电池 |
Study of P-μc-Si1-xGex:H thin film prepared by VHF-PECVD |
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