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荧光粉Sr2SiO4:Eu2+中不同格位发光研究
引用本文:吴霞,李绪诚,罗思远,龚新勇,邓朝勇.荧光粉Sr2SiO4:Eu2+中不同格位发光研究[J].光电子.激光,2013(11):2162-2168.
作者姓名:吴霞  李绪诚  罗思远  龚新勇  邓朝勇
作者单位:贵州大学 理学院 电子科学系,贵州省电子功能复合材料特色重点实验室,贵州 贵阳 550025;贵州大学 理学院 电子科学系,贵州省电子功能复合材料特色重点实验室,贵州 贵阳 550025;贵州大学 理学院 电子科学系,贵州省电子功能复合材料特色重点实验室,贵州 贵阳 550025;贵州大学 理学院 电子科学系,贵州省电子功能复合材料特色重点实验室,贵州 贵阳 550025;贵州大学 理学院 电子科学系,贵州省电子功能复合材料特色重点实验室,贵州 贵阳 550025
基金项目:贵州省科技计划(2011-2016,2012-3005,2011-2104,2010-4005,2009-15)和贵阳市科技计划项目(2012101-2-4)资助项目 (贵州大学 理学院电子科学系,贵州省电子功能复合材料特色重点实验室,贵州 贵阳 550025)
摘    要:采用高温固相反应法制备了Sr2SiO4:xEu2+荧光粉,研究Eu2+所占据的 Sr2SiO4中Sr1和Sr2两个不同格位及掺杂浓度和激发波长对格位发光的影响。荧 光粉发射光谱为一双峰的宽发射光谱,可拟合为峰值位置位于480nm 和530nm的两条高斯曲线,分别对应Eu2+所占据的Sr1和Sr2两 个不同格位的发射。随着 Eu2+掺杂浓度增加,Sr1和Sr2格位的发光强度均出现浓度猝灭现象,Sr2格位的 长波长发射峰出现明显红移现象,而Sr1格位的短波长发射峰发生红移-蓝移-红 移现象,这与Sr1和Sr2格位的优先占据以及格位间能量传递有关。随着激发波 长的增加,Sr2格位的长波长发射的发光强度与Sr1格位的短波长发射的发光强 度比值增加,占据不同格位的Eu2+对不同激发波长表现出明显的选择激发效应。

关 键 词:Sr2SiO4:Eu2+    格位    选择激发    浓度猝灭    能量传递
收稿时间:2013/2/18 0:00:00

A study on the luminescence of different crystallographic sites for Sr2SiO4:Eu2+ phosphors
Affiliation:Department of Electronic Science,College of Science,Guizhou University,Guiyang 550025,China;Department of Electronic Science,College of Science,Guizhou University,Guiyang 550025,China;Department of Electronic Science,College of Science,Guizhou University,Guiyang 550025,China;Department of Electronic Science,College of Science,Guizhou University,Guiyang 550025,China;Department of Electronic Science,College of Science,Guizhou University,Guiyang 550025,China
Abstract:
Keywords:Sr2SiO4:Eu2+  crystallographic site  selective excitation  concentrati on quenching  energy transfer
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