| Si/Ti/Au/Si键合技术研究及其应用 |
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| 引用本文： | 杨道虹,徐晨,李兰,吴埈苗,沈光地.Si/Ti/Au/Si键合技术研究及其应用[J].光电子．激光,2004,15(7):839-841. |
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| 作者姓名： | 杨道虹 徐晨 李兰 吴埈苗 沈光地 |
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| 作者单位： | 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京市光电子技术实验室,北京,100022 |
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| 基金项目： | 北京市教委基金资助项目(KM200310005009) |
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| 摘 要： | 运用Si／Ti／Au／Au／Ti／Si在N2保护下及420℃左右，成功地实现了Au／Si共熔键合，成品率达到90％以上。该键合方法能进行选择区域键合，完全避免了由于Si／Si熔融键合过程中高温退火给微电子机械系统(MEMS)器件带来的畸变甚至失效，为新型室温红外探测器的研制奠定了良好的工艺基础，是此类结构MEMS器件的理想键合封装方法。
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| 关 键 词： | 共熔键合 微电子机械系统 高温退火 Au／Si Si／Si |
| 文章编号： | 1005-0086(2004)07-0839-03 |
Si/Ti/Au/Si Bonding Technology and Its Application |
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| YANG Dao-hong.Si/Ti/Au/Si Bonding Technology and Its Application[J].Journal of Optoelectronics·laser,2004,15(7):839-841. |
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| Authors: | YANG Dao-hong |
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| Affiliation: | YANG Dao-hong~ |
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| Keywords: | micro-electronic machine system(MEMS) Si/Si Au/Si eutectic bonding |
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