| 高温热氧化中SiO2层厚度的控制研究 |
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| 引用本文： | 曹向群,唐九耀,等.高温热氧化中SiO2层厚度的控制研究[J].光电子．激光,2001,12(9):975-976. |
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| 作者姓名： | 曹向群 唐九耀 |
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| 作者单位： | 浙江大学国家光学仪器工程技术研究中心 |
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| 基金项目： | 浙江省科技计划，001101420， |
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| 摘 要： | 本文介绍了Si热氧化的工艺过程和温度曲线，对热氧化生成的SiO2层厚度进行了理论计算和实际测定；并列出了７个ＳiO2样品的干，湿氧时间，理论计算值，实测值及产生的误差值，多数样件可控制在１５％左右（最优达７０％）；介绍了控制干，湿氧不相互干扰的管路系统，稳定水浴湿度９５℃的方法，分析了影响ＳiO2层厚度的石英管口径及氧气流量等因素。
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| 关 键 词： | 高温热氧化 厚度控制 二氧化硅 |
| 文章编号： | 1005-0086(2001)09-0975-02 |
| 修稿时间： | 2001年2月20日 |
Research on SiO2 Thickness Control in High Temperature Thermal Oxidation |
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| CAO Xiang qun,TANG Jiu yao,FAN Li na.Research on SiO2 Thickness Control in High Temperature Thermal Oxidation[J].Journal of Optoelectronics·laser,2001,12(9):975-976. |
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| Authors: | CAO Xiang qun TANG Jiu yao FAN Li na |
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| Abstract: | The technological parameters and temperature time diagram is introduced in this paper for high temperature thermal oxidation of Si wafers.The SiO 2 thickness of high temperature thermal oxidation is measured and calculated.Seven samples data are given.Thickness of most samples can be controlled in 15 %,the best is 7 %.Moreover other factors affect SiO 2 thickness such as O 2 flux and the diameter of quartz tube are also analyzed. |
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| Keywords: | high temperature thermal oxidation silicon dioxide thickness control |
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