| 微晶硅材料及其薄膜晶体管的研究 |
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| 引用本文： | 李娟, 李阳, 吴春亚, 孟志国, 赵淑云, 熊绍珍, 张丽珠,.微晶硅材料及其薄膜晶体管的研究[J].电子器件,2008,31(1):130-134. |
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| 作者姓名： | 李娟 李阳 吴春亚 孟志国 赵淑云 熊绍珍 张丽珠 |
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| 作者单位： | 1. 南开大学光电子所光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071
2. 天津机电职业技术学院,天津,300131 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)
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Key Pro-ject of NSFC
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天津市自然科学基金 |
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| 摘 要： | 本文在微晶硅材料性能研究的基础上制备了微晶硅薄膜晶体管(TFT).发现微晶硅的柱状生长模式会导致其结构和电学性能的不均匀性.由于材料的柱状生长模式使得其晶化百分比、晶粒尺寸和暗电导受到薄膜厚度的调制.平行于衬底和垂直于衬底方向的电导率随着材料沉积条件的变化呈现出不同的变化规律,后者始终保持在 10-6 s/an～10-5 s/cm 量级.确定了用于 TFT 有源层的微晶硅薄膜沉积条件中的硅烷浓度应高于 2%,晶化百分比应为40%～50%左右.制备的微晶硅 TFT 器件具有良好的稳定性,开态电流的衰退和阈值电压的漂移分别为 25%和1 Ⅴ,进而还发现了一种新颖的自恢复现象.
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| 关 键 词： | 微晶硅 薄膜晶体管 结构和电学各向异性 自恢复现象 Microcrystalline silicon Thin film transistor Structural and electrical anisotropy Recoverableinstability 微晶 硅材料 薄膜晶体管 研究 Investigation instability phenomenon shift degradation good reliability deposition conditions used active layer silicon concentration characteristics Based investigation show different |
| 文章编号： | 1005-9490（2008）01-0130-05 |
| 收稿时间： | 2007-04-30 |
| 修稿时间： | 2007年4月30日 |
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