| MWECR CVD系统中磁场梯度对a-Si:H薄膜沉积速率的影响 |
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| 引用本文： | 胡跃辉,吴越颖,陈光华,王青,张文理,阴生毅.MWECR CVD系统中磁场梯度对a-Si:H薄膜沉积速率的影响[J].半导体学报,2004,25(6):613-619. |
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| 作者姓名： | 胡跃辉 吴越颖 陈光华 王青 张文理 阴生毅 |
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| 作者单位： | 北京工业大学材料学院 北京100022
(胡跃辉，吴越颖，陈光华，王青，张文理)，北京工业大学材料学院 北京100022(阴生毅) |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号 :G2 0 0 0 0 2 82 0 1)~~ |
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| 摘 要： | 为了定量地得到磁场梯度对a Si∶H薄膜沉积速率的影响 ,对单磁场线圈分散场MWECRCVD系统等离子体室和沉积室中用三种方法得到的磁场形貌进行了研究 .通过洛伦兹拟合的方法定量地得到了这些磁场形貌的磁场梯度 .结果表明 ,样品台下面放置钐钴永磁体并使磁场线圈电流为 137 7A时其衬底附近磁场梯度值最大 ,样品台下面无钐钴永磁时 ,磁场线圈电流分别为 137 7A和 115 2A的磁场梯度值依次为次之和最小 .制备a Si∶H薄膜时 ,在衬底附近具有高的磁场梯度值可以得到高的沉积速率 .通过红外吸收谱技术分析 ,虽然样品台下面放置钐钴永磁体并使磁场线圈电流为 13
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| 关 键 词： | 磁场梯度 洛伦兹拟合 a-Si∶H薄膜 沉积速率 MWECR CVD沉积系统 |
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