| 采用CCl_2F_2/O_2的高深宽比硅槽的刻蚀 |
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| 引用本文： | 姚雅红,赵永军,吕苗,皮舜,李江,赵颜军.采用CCl_2F_2/O_2的高深宽比硅槽的刻蚀[J].半导体学报,1998,19(7):542-547. |
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| 作者姓名： | 姚雅红 赵永军 吕苗 皮舜 李江 赵颜军 |
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| 作者单位： | [1]清华大学精仪系陀螺教研室 [2]电子工业部第十三研究所 |
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| 摘 要： | 本文通过实验和对样品上钝化层成分的分析，提出了ＣＣｌ２Ｆ２／Ｏ２混合气体对单晶硅的各向异性刻蚀机理：在一定功率下，ＣＣｌ２Ｆ２离解出大量的ＣＦｘ粒子和Ｃｌ粒子，在前者对样品的轰击下后者与轰击出的Ｓｉ原子反应生成挥发性的ＳｉＣｌ４，产生刻蚀．Ｏ２的加入一方面形成钝化层ＳｉｘＯｙＦｚ保护侧壁，另一方面通过消耗ＣＦｘ粒子减少其与Ｃｌ粒子的再结合而达到加速目的．探讨了在一定条件下压力和ＩＣＰ功率对刻蚀速率和各向异性的影响．在大量实验的基础上优化各刻蚀参数，在ＩＣＰ７９０设备上刻出了宽３μｍ，深１６μｍ的窄槽，
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| 关 键 词： | 硅 HARTs 刻蚀 制取方法 |
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