| 多晶硅薄膜的高温压阻效应 |
| |
| 引用本文： | 霍明学,刘晓为,张丹,王喜莲,宋明浩.多晶硅薄膜的高温压阻效应[J].半导体学报,2005,26(11):2115-2119. |
| |
| 作者姓名： | 霍明学 刘晓为 张丹 王喜莲 宋明浩 |
| |
| 作者单位： | 哈尔滨工业大学MEMS中心,哈尔滨 150001;哈尔滨工业大学MEMS中心,哈尔滨 150001;哈尔滨工业大学MEMS中心,哈尔滨 150001;黑龙江大学电子工程学院，哈尔滨 150080;哈尔滨工业大学MEMS中心,哈尔滨 150001;哈尔滨工业大学MEMS中心,哈尔滨 150001 |
| |
| 摘 要： | 利用LPCVD制备重掺杂多晶硅薄膜,在0～560℃温度范围内对薄膜的压阻效应进行研究,同时对多晶硅薄膜应变系数随温度的变化,以及薄膜的淀积温度与薄膜厚度对应变系数的影响进行了相关的实验研究.结果表明,利用多晶硅材料制作的压敏电阻,其最高工作温度可以达到560℃以上.
|
| 关 键 词： | 压阻效应 多晶硅 应变系数 多晶硅薄膜 高温 压阻效应 High Temperature Films Polysilicon 工作温度 压敏电阻 材料制作 结果 实验 相关 影响 薄膜厚度 淀积温度 变化 应变系数 研究 温度范围 重掺杂 |
| 文章编号： | 0253-4177（2005）11-2115-05 |
| 收稿时间： | 2004-12-14 |
| 修稿时间： | 2005-08-10 |
Piezoresistive Effect of Polysilicon Films at High Temperature |
| |
| Huo Mingxue,Liu Xiaowei,Zhang Dan,Wang Xilian and Song Minghao.Piezoresistive Effect of Polysilicon Films at High Temperature[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(11):2115-2119. |
| |
| Authors: | Huo Mingxue Liu Xiaowei Zhang Dan Wang Xilian and Song Minghao |
| |
| Affiliation: | MEMS Center,Harbin Institute of Technology,Harbin 150001, China;MEMS Center,Harbin Institute of Technology,Harbin 150002, China;MEMS Center,Harbin Institute of Technology,Harbin 150003, China;College of Electronic Engineering,Heilongjiang University,Harbin 150080, China;MEMS Center,Harbin Institute of Technology,Harbin 150004, China;MEMS Center,Harbin Institute of Technology,Harbin 150005, China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | piezoresistive effect polysilicon gauge factor |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
