|
|||||
|
|
| 应用遗传算法实现MOS器件综合 | |
| 引用本文： | 谢晓锋,李钊,阮骏,姚依,张文俊,杨之廉.应用遗传算法实现MOS器件综合[J].半导体学报,2002,23(1). |
| 作者姓名： | 谢晓锋 李钊 阮骏 姚依 张文俊 杨之廉 |
| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所,北京,100084 |
| 摘 要： | 研究了将遗传算法应用于器件综合问题,针对参数化的器件空间设计了相应的适应度函数和遗传算子,可用来得到器件的可行设计空间及研究参数对器件性能的影响.对FIBMOS器件的综合设计研究结果显示了本方法的有效性. |
| 关 键 词： | 器件综合 器件参数化表示 遗传算法 |
Realization of Device Synthesis Using Genetic Algorithms |
|
| Abstract: | |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |
