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| 基于刻蚀工艺的IC关键面积计算模型与实现方法 | |
| 引用本文： | 赵天绪,郝跃,马佩军.基于刻蚀工艺的IC关键面积计算模型与实现方法[J].半导体学报,2002,23(1). |
| 作者姓名： | 赵天绪 郝跃 马佩军 |
| 作者单位： | 1. 西安电子科技大学微电子所,西安,710071;宝鸡文理学院数学系,宝鸡,721007 2. 西安电子科技大学微电子所,西安,710071 |
| 摘 要： | 在IC的制造过程中,由于工艺的随机扰动,过刻蚀和欠刻蚀造成了导线条的宽度和线间距的变化.论文在分析过刻蚀和欠刻蚀对IC版图影响的基础上,提出了基于工艺偏差影响的IC关键面积计算新模型和实现方法.模拟实验表明模拟结果与理论分析是一致的. |
| 关 键 词： | 关键面积 随机扰动 缺陷 |
Computation Model and Realization Method of IC Critical Area Based on Etching Process |
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| Keywords: | |
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