| 基于0.15mm GaAs PHEMT的具有可调增益控制的低噪声分布式放大器设计 |
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| 引用本文： | 张瑛,王志功,徐建,罗寅.基于0.15mm GaAs PHEMT的具有可调增益控制的低噪声分布式放大器设计[J].半导体学报,2012,33(3):035003-4. |
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| 作者姓名： | 张瑛 王志功 徐建 罗寅 |
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| 作者单位： | 东南大学射频与光电集成电路研究所,东南大学射频与光电集成电路研究所,东南大学射频与光电集成电路研究所 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，中国博士后基金项目，科技部中小企业技术创新基金 |
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| 摘 要： | 基于0.15?m GaAs PHEMT工艺设计了具有九级增益单元的低噪声分布式放大器，一个可选的栅极偏置为放大器提供了10dB的可调增益控制。所设计的放大器采用了一种新的共源共栅结构以提高输出电压和带宽。测试结果表明该放大器在频带2~20GHz带宽内具有15dB的平均增益，带内增益平坦度为?1dB；噪声系数在2~20GHz频带内为2dB-4.1dB。放大器在1dB增益压缩点处输出功率为13.8dBm，显示了良好的线性特性。电源电压为5V时总的功率损耗为300mW，芯片面积为2.36?1.01 mm2。
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| 关 键 词： | 分布式放大器 低噪声 可调增益控制 GaAs PHEMT |
| 修稿时间： | 11/1/2011 8:57:06 PM |
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