| 一种精确检测半导体二极管正向电特性的新方法 |
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| 引用本文： | 王存达,曾志斌,张国义,沈君,朱传云.一种精确检测半导体二极管正向电特性的新方法[J].半导体学报,2003,24(12):1307-1311. |
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| 作者姓名： | 王存达 曾志斌 张国义 沈君 朱传云 |
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| 作者单位： | [1]天津大学应用物理学系，天津300072；北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室，北京l00871 [2]天津大学应用物理学系，天津300072 [3]北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室，北京l00871 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;69789601,69876002; |
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| 摘 要： | 提出了一种基于串联模式精确地检测半导体二极管正向电特性的新方法.利用该方法,不仅可以得到二极管在不同电压下的串联电阻、结电容、结电压、理想化因子等值,还能判断一个实际的二极管有无界面层存在并得到其界面层阻抗值.用此方法对Ni/ n- Ga N肖特基二极管进行了检测,所有的实验结果与理论分析相符合.实验中确认了在Ga N肖特基二极管中结的负电容和具有非线性电阻和电容的界面层的存在.
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| 关 键 词： | 半导体二极管 正向电特性 串联模式 界面层 负电容 |
| 文章编号： | 0253-4177(2003)12-1307-05 |
| 修稿时间： | 2003年1月6日 |
A New Method of Accurate Electrical Characterization of Semiconductor Diodes at Forward Bias |
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| Wang Cunda ,Zeng Zhibin ,Zhang Guoyi ,Shen Jun and Zhu Chuanyun.A New Method of Accurate Electrical Characterization of Semiconductor Diodes at Forward Bias[J].Chinese Journal of Semiconductors,2003,24(12):1307-1311. |
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| Authors: | Wang Cunda Zeng Zhibin Zhang Guoyi Shen Jun and Zhu Chuanyun |
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| Affiliation: | Wang Cunda 1,2,Zeng Zhibin 1,Zhang Guoyi 2,Shen Jun 1 and Zhu Chuanyun 1 |
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| Abstract: | A new method to analyze the forward electrical characteristics of semiconductor diodes by using series mode is developed.This method can not only accurately measure the values of series resistance,junction capacitance,junction voltage,and ideality factor at various forward biases,but also detect and measure an interfacial layer in a real diode.Various n-GaN Schottky diodes are measured by this method,and all the experiment results are consistent with the theoretical analyses.Negative capacitance (NC) of the junction and the interfacial layer with nonlinear resistance and capacitance are confirmed in GaN Schottky diodes. |
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| Keywords: | semiconductor diodes forward electrical characteristic series mode interfacial layer negative capacitance |
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