| GaInP2/GaAs/Ge叠层太阳电池中的高效率Ge底电池 |
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| 引用本文： | 王亮兴,涂洁磊,张忠卫,池卫英,彭冬生,陈超奇,陈鸣波.GaInP2/GaAs/Ge叠层太阳电池中的高效率Ge底电池[J].半导体学报,2005,26(13):196-199. |
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| 作者姓名： | 王亮兴 涂洁磊 张忠卫 池卫英 彭冬生 陈超奇 陈鸣波 |
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| 作者单位： | 上海空间电源研究所，上海 200233;上海空间电源研究所，上海 200233;上海空间电源研究所，上海 200233;上海空间电源研究所，上海 200233;上海空间电源研究所，上海 200233;上海空间电源研究所，上海 200233;上海空间电源研究所，上海 200233 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 从电池的结构参数及器件工艺等方面分析了Ge底电池的开路电压Voc、短路电流Isc和填充因子FF的影响.结果表明：控制发射层的表面复合，并减薄其厚度可以提高开路电压Voc，并可以有效提高短路电流Isc；调整相应的器件工艺有利于填充因子FF的提高. 采用上述改进措施，成功得到Voc达到287.5mV, Isc达到73.13mA/cm2，效率达到7.35%的Ge太阳电池.
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| 关 键 词： | Ge太阳电池 高效率 表面复合速率 器件工艺的改善 |
High Efficiency Ge Bottom Cell for GaInP2/GaAs/Ge Three-Junction Tandem Solar Cell |
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| Wang Liangxing,Tu Jielei,Zhang Zhongwei,Chi Weiying,Peng Dongsheng,Chen Chaoqi and Chen Mingbo.High Efficiency Ge Bottom Cell for GaInP2/GaAs/Ge Three-Junction Tandem Solar Cell[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(13):196-199. |
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| Authors: | Wang Liangxing Tu Jielei Zhang Zhongwei Chi Weiying Peng Dongsheng Chen Chaoqi and Chen Mingbo |
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| Affiliation: | Shanghai Institute of Space Power Sources,Shanghai 200233,China;Shanghai Institute of Space Power Sources,Shanghai 200233,China;Shanghai Institute of Space Power Sources,Shanghai 200233,China;Shanghai Institute of Space Power Sources,Shanghai 200233,China;Shanghai Institute of Space Power Sources,Shanghai 200233,China;Shanghai Institute of Space Power Sources,Shanghai 200233,China;Shanghai Institute of Space Power Sources,Shanghai 200233,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Ge solar cell high efficiency surface-recombination velocity improvement of device process |
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