| 利用RTS噪声确定MOSFET氧化层中陷阱位置的方法 |
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| 引用本文： | 鲍立,包军林,庄奕琪.利用RTS噪声确定MOSFET氧化层中陷阱位置的方法[J].半导体学报,2006,27(8):1426-1430. |
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| 作者姓名： | 鲍立 包军林 庄奕琪 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所，宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安 710071;西安电子科技大学微电子研究所，宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安 710072;西安电子科技大学微电子研究所，宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安 710073 |
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| 摘 要： | 强场诱生并与电场奇异性相关的边界陷阱是影响深亚微米MOS器件可靠性的关键因素之一.文中研究了深亚微米MOS器件的随机电报信号(RTS)的时间特性,提出了一种通过正反向测量器件非饱和区噪声的手段来确定边界陷阱空间分布的新方法.对0.18μm×0.15μm nMOS器件的测量结果表明,利用该方法可以准确计算深亚微米器件氧化层陷阱的二维位置,还为深亚微米器件的可靠性评估提供了一种新的手段.
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| 关 键 词： | RTS 深亚微米 边界陷阱 MOS器件 可靠性 利用 噪声 MOSFET 氧化层陷阱 位置 方法 RTS Noise Oxide Trap Position Locating 可靠性评估 深亚微米器件 准确计算 测量结果 nMOS 空间分布 手段 非饱和区 时间特性 随机电报信号 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)08-1426-05 |
| 收稿时间： | 1/5/2006 9:49:40 AM |
| 修稿时间： | 3/13/2006 9:25:32 AM |
A Method for Locating the Position of an Oxide Trap in a MOSFET by RTS Noise |
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| Bao Li,Bao Junlin and Zhuang Yiqi.A Method for Locating the Position of an Oxide Trap in a MOSFET by RTS Noise[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(8):1426-1430. |
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| Authors: | Bao Li Bao Junlin and Zhuang Yiqi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | RTS deep submicron border traps MOS device reliability |
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