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| 硅中离子注入层光学常数的振荡分布 | |
| 引用本文： | 钱佑华,陈良尧,张继昌.硅中离子注入层光学常数的振荡分布[J].半导体学报,1982,3(1):76-79. |
| 作者姓名： | 钱佑华 陈良尧 张继昌 |
| 作者单位： | 复旦大学 (钱佑华，陈良尧)，同济大学(张继昌) |
| 摘 要： | <正> 椭圆偏光法结合阳极氧化剥层技术,测量得到磷注入硅临界剂量附近样品表层的表观光学常数n|~=n-ik,出现一个振荡型的深度分布.在关于离子注入层无序分布的公认结论的基础上,建立了k(x),n(x)同无序度分布D(x)之间的经验关系式,从而从定量上解释了n|~(x)的振荡. |
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