| 双沟道实空间电子转移晶体管的设计、研制和特性测量 |
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| 引用本文： | 郭维廉,张世林,梁惠来,齐海涛,毛陆虹,牛萍娟,于欣,王伟,王文新,陈宏,周均铭.双沟道实空间电子转移晶体管的设计、研制和特性测量[J].半导体学报,2008,29(1). |
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| 作者姓名： | 郭维廉 张世林 梁惠来 齐海涛 毛陆虹 牛萍娟 于欣 王伟 王文新 陈宏 周均铭 |
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| 作者单位： | 天津大学电子信息工程学院,天津,300072;天津工业大学信息与通信工程学院,天津,300160;天津大学电子信息工程学院,天津,300072;天津工业大学信息与通信工程学院,天津,300160;中国科学院物理研究所,北京,100080 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 采用双沟道结构和GaAs衬底,成功设计研制了双沟道实空间电子转移晶体管.它具有RSTT典型的"A"形负阻I-V特性和较宽的平坦谷值区.通过栅压可改变各种负阻参数值,当栅压从0.6V增至1.0V时,PVCR的变化范围是2.1～10.6峰值电流跨导约为3×10-4 S.负阻参数VP,VV和开始产生负阻的栅极阈值电压都小于国际上同类器件的报道值,因此更适合低功耗的运用.
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| 关 键 词： | RSTT 高速化合物三端功能器件 三端负阻器件 热电子器件 电子转移器件 |
Design, Fabrication, and Characterization of Dual Channel Real Space Transfer Transistors |
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| Guo Weilian,Zhang Shilin,Liang Huilai,Qi Haitao,Mao Luhong,Niu Pingjuan,Yu Xin,Wang Wei,Wang Wenxin,Chen Hong,Zhou Junming.Design, Fabrication, and Characterization of Dual Channel Real Space Transfer Transistors[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(1). |
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| Authors: | Guo Weilian Zhang Shilin Liang Huilai Qi Haitao Mao Luhong Niu Pingjuan Yu Xin Wang Wei Wang Wenxin Chen Hong Zhou Junming |
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