| 硼离子选择注入制备多孔硅微阵列 |
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| 引用本文： | 陈少强,邵丽,王伟明,朱建中,朱自强.硼离子选择注入制备多孔硅微阵列[J].半导体学报,2004,25(7):819-823. |
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| 作者姓名： | 陈少强 邵丽 王伟明 朱建中 朱自强 |
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| 作者单位： | 华东师范大学电子系,上海,200062;华东师范大学电子系,上海,200062;华东师范大学电子系,上海,200062;华东师范大学电子系,上海,200062;华东师范大学电子系,上海,200062 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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上海市应用材料研究与发展基金 |
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| 摘 要： | 根据 p型硅和 n型硅不同的制备多孔硅的工艺条件 ,利用硼离子选择注入 ,在 n型硅片上的局部微区域 ,形成易于腐蚀的 p型硅 ,用电化学腐蚀方法制备出图形化的多孔硅阵列 .省去了传统掩膜腐蚀工艺的掩膜材料的选取与制备以及后道工艺中掩膜材料的清除等工艺 ,克服了掩膜材料掩蔽效果较差以及存在横向钻蚀等缺点 .通过 AFM,SEM测试 ,证明该方法的效果很好
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| 关 键 词： | 多孔硅微阵列 选择性 电化学腐蚀 硼离子选择注入 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)07-0819-05 |
| 修稿时间： | 2003年6月30日 |
Formation of Selective Porous Silicon Array Using Boron Ion Implantation |
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| Chen Shaoqiang,Shao Li,Wang Weiming,Zhu Jianzhong and Zhu Ziqiang.Formation of Selective Porous Silicon Array Using Boron Ion Implantation[J].Chinese Journal of Semiconductors,2004,25(7):819-823. |
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| Authors: | Chen Shaoqiang Shao Li Wang Weiming Zhu Jianzhong and Zhu Ziqiang |
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| Abstract: | According to the different porous silicon fabricating process of p type and n type silicon substrate,a new technology of boron ion implantation to form a selective p type array on n type substrate is introduced.After electrochemical etching process,a selective porous silicon is obtained.By this way,the defects of the conventional mask technology are avoided.The selective porous silicon array is characterized by AFM and SEM. |
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| Keywords: | selective porous silicon array electrochemical etching boron ion implantation |
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