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| 磁控溅射法在6H-SiC衬底上制备β-FeSi2薄膜 | |
| 引用本文： | 李虹,蒲红斌,郑春蕾,陈治明.磁控溅射法在6H-SiC衬底上制备β-FeSi2薄膜[J].半导体学报,2015,36(6):063005-6. |
| 作者姓名： | 李虹 蒲红斌 郑春蕾 陈治明 |
| 摘 要： | 采用磁控溅射FeSi2、Si靶加后续退火法在6H-SiC(0001)衬底上成功制备了β-FeSi2薄膜.采用XRD、SEM、AFM和Raman等测试手段对β-FeSi2薄膜的结构及形貌等特性进行了表征。XRD结果表明,当退火温度从500℃增加到900℃时,溅射的非晶FeSi2薄膜逐步相变为β-FeSi2薄膜,且其最佳的退火温度为900℃;SEM测试结果表明β-FeSi2薄膜表面较为平整、致密,β-FeSi2/6H-SiC界面清晰陡峭,薄膜表面粗糙度(RMS)为0.87nm;β-FeSi2薄膜的光学带隙为0.88eV。由此获得了在6H-SiC衬底上制备多晶β-FeSi2薄膜的最佳工艺条件。 |
| 关 键 词： | β-FeSi2薄膜 6H-SiC衬底 磁控溅射 XRD |
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