| Ka波段22dBm氮化镓单片集成放大器 |
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| 引用本文： | 王东方,陈晓娟,袁婷婷,魏珂,刘新宇.Ka波段22dBm氮化镓单片集成放大器[J].半导体学报,2011,32(8):085011-4. |
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| 作者姓名： | 王东方 陈晓娟 袁婷婷 魏珂 刘新宇 |
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| 作者单位： | 中科院微电子研究所,中科院微电子研究所 |
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| 基金项目： | 自然科学基金“氮化镓基毫米波器件和材料基础与关键问题研究”(60890190) |
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| 摘 要： | 设计了CPW式Ka波段氮化镓单片集成放大器,并基于国内的GaN外延片和工艺完成了芯片的制备。据我们所知,这是国内首次报道的Ka波段氮化镓单片集成放大器。该单级集成放大器使用了一个栅长0.25μm,栅宽275μm的AlGaN/GaN HEMT。在Vds=10V连续波测试条件下，放大器的工作带宽为1.5GHz。其中在26.5GHz的线性增益为6.3dB，最大输出功率22dBm，最大附加效率9.5%。该MMIC所使用的AlGaN/GaN HEMT在Ka波段、Vds=10V条件下的输出功率密度达到1W/mm。
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| 关 键 词： | MMIC Ka波段 放大器 氮化镓 dBm AlGaN 最大输出功率 HEMT |
| 收稿时间： | 2/6/2011 4:26:06 PM |
| 修稿时间： | 3/1/2011 8:34:22 PM |
A Ka-band 22 dBm GaN amplifier MMIC |
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| Wang Dongfang,Chen Xiaojuan,Yuan Tingting,Wei Ke and Liu Xinyu.A Ka-band 22 dBm GaN amplifier MMIC[J].Chinese Journal of Semiconductors,2011,32(8):085011-4. |
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| Authors: | Wang Dongfang Chen Xiaojuan Yuan Tingting Wei Ke and Liu Xinyu |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Scienses,Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Scienses |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN MMIC AlGaN/GaN HEMT amplifier Ka band CPW |
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