| 射频无线应用的体连接和图形化SOI LDMOSFET的比较 |
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| 引用本文： | 李文钧,程新红,宋朝瑞,陈展飞,刘军,孙玲玲.射频无线应用的体连接和图形化SOI LDMOSFET的比较[J].半导体学报,2006,27(13):32-35. |
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| 作者姓名： | 李文钧 程新红 宋朝瑞 陈展飞 刘军 孙玲玲 |
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| 作者单位： | 杭州电子科技大学微电子CAD研究所,杭州 310018;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海 200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海 200050;杭州电子科技大学微电子CAD研究所,杭州 310018;杭州电子科技大学微电子CAD研究所,杭州 310018;杭州电子科技大学微电子CAD研究所,杭州 310018 |
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| 摘 要： | 设计并制作了一种可应用于无线通信放大器的新型的图形化SOI LDMOSFET. 该器件沟道下方的埋氧层是断开的.测试表明，输出特性曲线没有发现明显的翘曲效应，关态的击穿电压达13V，在VG=4V和VD=3.6V时fT为8GHz，直流和射频性能均优于同一芯片上相同工艺条件制备的体接触LDMOSFET.
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| 关 键 词： | 体接触 图形化SOI LDMOSFET 射频 |
Comparison of Body-Contact and Patterned-SOI LDMOSFETs for RF Wireless Applications |
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| Li Wenjun,Cheng Xinhong,Song Zhaorui,Chen Zhanfei,Liu Jun and Sun Lingling.Comparison of Body-Contact and Patterned-SOI LDMOSFETs for RF Wireless Applications[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(13):32-35. |
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| Authors: | Li Wenjun Cheng Xinhong Song Zhaorui Chen Zhanfei Liu Jun and Sun Lingling |
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| Affiliation: | Microelectronic CAD Center,Hangzhou Dianzi University,Hangzhou 310018,China;Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China;Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China;Microelectronic CAD Center,Hangzhou Dianzi University,Hangzhou 310018,China;Microelectronic CAD Center,Hangzhou Dianzi University,Hangzhou 310018,China;Microelectronic CAD Center,Hangzhou Dianzi University,Hangzhou 310018,China |
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| Abstract: | A novel patterned-SOI LDMOSFET with a silicon window beneath the p-type channel is designed and fabricated for RF power amplifier applications.It has good DC and RF characteristics,with no kink effect on the output performance,an off-state breakdown of up to 13V,fT=8GHz at a DC bias of VG=4V and VD=3.6V.These characteristics are better than those of body-contact SOI LDMOSFETs on the same wafer with the same process conditions. |
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| Keywords: | body-contact patterned-SOI LDMOSFET RF |
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