| 氮注入多晶硅栅对超薄SiO2栅介质性能的影响 |
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| 引用本文： | 许晓燕,谭静荣,黄如,张兴.氮注入多晶硅栅对超薄SiO2栅介质性能的影响[J].半导体学报,2003,24(1). |
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| 作者姓名： | 许晓燕 谭静荣 黄如 张兴 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子所,北京,100871 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | p+多晶硅栅中的硼在SiO2栅介质中的扩散会引起栅介质可靠性退化,在多晶硅栅内注入N+的工艺可抑制硼扩散.制备出栅介质厚度为4.6nm的p+栅MOS电容,通过SIMS测试分析和I-V、C-V特性及电应力下击穿特性的测试,观察了多晶硅栅中注N+工艺对栅介质性能的影响.实验结果表明:在多晶硅栅中注入氮可以有效抑制硼扩散,降低了低场漏电和平带电压的漂移,改善了栅介质的击穿性能,但同时使多晶硅耗尽效应增强、方块电阻增大,需要折衷优化设计.
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| 关 键 词： | 栅介质 氮注入 硼扩散 |
Effects of Nitrogen Implantation into Gate Electrode on Characteristics of Ultra-Thin Gate Oxide |
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