| MOCVD生长的SiC衬底高迁移率GaN沟道层AlGaN/AlN/GaN HEMT结构 |
| |
| 引用本文： | 王晓亮,胡国新,马志勇,肖红领,王翠梅,罗卫军,刘新宇,陈晓娟,李建平,李晋闽,钱鹤,王占国.MOCVD生长的SiC衬底高迁移率GaN沟道层AlGaN/AlN/GaN HEMT结构[J].半导体学报,2006,27(9):1521-1525. |
| |
| 作者姓名： | 王晓亮 胡国新 马志勇 肖红领 王翠梅 罗卫军 刘新宇 陈晓娟 李建平 李晋闽 钱鹤 王占国 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院微电子研究所，北京 100029;中国科学院半导体研究所，北京 100083 |
| |
| 基金项目： | 中国科学院知识创新工程项目
,
国家自然科学基金
,
国家重点基础研究发展计划(973计划)
,
国家高技术研究发展计划(863计划) |
| |
| 摘 要： | 用MOCVD技术在高阻6H-SiC衬底上研制出了具有高迁移率GaN沟道层的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构材料,其室温和80K时二维电子气迁移率分别为1944和11588cm2/(V·s),相应二维电子气浓度为1.03×1013cm-2;三晶X射线衍射和原子力显微镜分析表明该材料具有良好的晶体质量和表面形貌,10μm×10μm样品的表面粗糙度为0.27nm.用此材料研制出了栅长为0.8μm,栅宽为1.2mm的HEMT器件,最大漏极饱和电流密度和非本征跨导分别为957mA/mm和267mS/mm.
|
| 关 键 词： | AlGaN/GaN 高电子迁移率管 MOCVD 功率器件 碳化硅衬底 AlGaN/GaN HEMT MOCVD power device SiC substrates MOCVD 生长 迁移率 沟道 AlGaN HEMT 结构 Channel Thin Layer Mobility High extrinsic transconductance maximum drain current density gate length width devices scan |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)09-1521-05 |
| 收稿时间： | 4/4/2006 9:50:33 AM |
| 修稿时间： | 2006年4月4日 |
MOCVD-Grown AlGaN/AlN/GaN HEMT Structure with High Mobility GaN Thin Layer as Channel on SiC |
| |
| Wang Xiaoliang,Hu Guoxin,Ma Zhiyong,Xiao Hongling,Wang Cuimei,Luo Weijun,Liu Xinyu,Chen Xiaojuan,Li Jianping,Li Jinmin,Qian He and Wang Zhanguo.MOCVD-Grown AlGaN/AlN/GaN HEMT Structure with High Mobility GaN Thin Layer as Channel on SiC[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(9):1521-1525. |
| |
| Authors: | Wang Xiaoliang Hu Guoxin Ma Zhiyong Xiao Hongling Wang Cuimei Luo Weijun Liu Xinyu Chen Xiaojuan Li Jianping Li Jinmin Qian He and Wang Zhanguo |
| |
| Affiliation: | Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | AlGaN/GaN HEMT MOCVD power device SiC substrates |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
