| 超薄栅MOS结构恒压应力下的直接隧穿弛豫谱 |
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| 引用本文： | 卫建林,毛凌锋,许铭真,谭长华.超薄栅MOS结构恒压应力下的直接隧穿弛豫谱[J].半导体学报,2001,22(6). |
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| 作者姓名： | 卫建林 毛凌锋 许铭真 谭长华 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子研究所,北京 100871 |
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| 摘 要： | 随着器件尺寸的迅速减小,直接隧穿电流将代替FN电流而成为影响器件可靠性的主要因素.根据比例差值算符理论和弛豫谱技术,针对直接隧穿应力下超薄栅MOS结构提出了一种新的弛豫谱--恒压应力下的直接隧穿弛豫谱(DTRS).该弛豫谱保持了原有弛豫谱技术直接、快速和方便的优点,能够分离和表征超薄栅MOS结构不同氧化层陷阱,提取氧化层陷阱的产生/俘获截面、陷阱密度等陷阱参数.直接隧穿弛豫谱主要用于研究直接隧穿注入的情况下超薄栅MOS结构中陷阱的产生和复合,为超薄栅MOS结构的可靠性研究提供了一强有力工具.
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| 关 键 词： | 直接隧穿 超薄栅氧化层 陷阱参数 可靠性 |
Direct Tunneling Relaxation Spectroscopy in Ultrathin Gate Oxide MOSStructures Under Constant Pressure Stress |
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