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| PMOSFET's热载流子退化模拟及寿命评估的统一模型 | |
| 引用本文： | 张进城,郝跃,朱志炜.PMOSFET's热载流子退化模拟及寿命评估的统一模型[J].半导体学报,2001,22(12). |
| 作者姓名： | 张进城 郝跃 朱志炜 |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071 |
| 摘 要： | 对PMOSFET's几种典型器件参数随应力时间的退化规律进行了深入研究,给出了一个新的器件退化监控量,并建立了不同器件参数退化的统一模型.模拟结果和测量结果的比较表明,新的退化模型具有较高的准确性和较宽的适用范围.新的退化模型不但可以用于器件参数退化量的模拟,也可以用于器件寿命评估. |
| 关 键 词： | PMOS器件 热载流子退化 退化模拟 寿命评估 |
A Unified Model for Hot-Carrier-Induced Degradation Simulation and Lifetime Prediction of PMOSFET's |
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