| 粗糙界面对超薄栅MOS结构的直接隧穿电流的影响 |
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| 引用本文： | 毛凌锋,谭长华,许铭真,卫建林,穆甫臣,张贺秋.粗糙界面对超薄栅MOS结构的直接隧穿电流的影响[J].半导体学报,2001,22(9). |
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| 作者姓名： | 毛凌锋 谭长华 许铭真 卫建林 穆甫臣 张贺秋 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子所, |
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| 基金项目： | 国家科技攻关项目，高等学校博士学科点专项科研项目 |
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| 摘 要： | 研究了粗糙界面对电子隧穿超薄栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管的氧化层的影响.对于栅厚为3nm的超薄栅MOS结构的界面用高斯粗糙面进行模拟来获取界面粗糙度对直接隧穿电流的影响,数值模拟的结果表明:界面粗糙度对电子的直接隧穿有较大的影响,且直接隧穿电流随界面的粗糙度增加而增大,界面粗糙度对电子的直接隧穿的影响随着外加电压的增加而减小.
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| 关 键 词： | 粗糙度 直接隧穿 场效应晶体管 |
Effect of Interface Roughness on the Direct Tunneling Current in Ultrathin MOS Structures |
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