| 升华法生长AlN体单晶初探 |
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| 引用本文： | 赵有文,董志远,魏学成,段满龙,李晋闽.升华法生长AlN体单晶初探[J].半导体学报,2006,27(7). |
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| 作者姓名： | 赵有文 董志远 魏学成 段满龙 李晋闽 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 摘 要： | 研究了高温升华法(PVT)生长AlN体单晶的技术和材料的性质.使用陶瓷BN坩埚,加热温度约在1900℃左右,生长结果为AlN晶须或致密多晶,难以生长出较大的AlN晶粒.用钨坩埚加热生长温度达到2200℃左右时,在AlN陶瓷片和6H-SiC片上生长了直径22mm的AlN晶体,最大的晶粒尺寸长10mm、直径5mm.利用X射线粉末衍射分析了几种不同AlN样品的结构和组成.讨论了PVT法生长AlN晶体所涉及的化学热力学过程和现象.
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| 关 键 词： | 氮化铝 晶体 升华法 |
Study of Sublimation Crystal Growth of Bulk AlN |
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| Zhao Youwen,Dong Zhiyuan,Wei Xuecheng,Duan Manlong,Li Jinmin.Study of Sublimation Crystal Growth of Bulk AlN[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(7). |
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| Authors: | Zhao Youwen Dong Zhiyuan Wei Xuecheng Duan Manlong Li Jinmin |
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