| 底栅微晶硅薄膜晶体管 |
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| 引用本文： | 李娟,张晓丹,刘建平,赵淑云,吴春亚,孟志国,张芳,熊绍珍.底栅微晶硅薄膜晶体管[J].半导体学报,2006,27(7). |
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| 作者姓名： | 李娟 张晓丹 刘建平 赵淑云 吴春亚 孟志国 张芳 熊绍珍 |
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| 作者单位： | 1. 南开大学光电子研究所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津,300071
2. 科技部高技术研究发展中心,北京,100044 |
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| 基金项目： | 高比容电子铝箔的研究开发与应用项目，国家高技术研究发展计划(863计划)，Tianjin Natural Sci. Found |
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| 摘 要： | 对底栅微晶硅TFT的微晶硅材料生长孵化层问题进行了详细讨论,发现低硅烷浓度是减薄该层厚度的有效途径.同时又发现,以SiNx为栅绝缘层的底栅TFT,对随后生长的硅基薄膜有促进晶化的作用(约20%).沉积底栅TFT的微晶硅有源层时,必须计入该影响.因此为了获得良好的I-V特性,选用的硅烷浓度不宜低于3%.由硅基薄膜晶化体积比与系列沉积工艺条件关系和TFT所得薄膜晶化体积比的对比,可清晰证实SiNx对晶化的促进作用.
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| 关 键 词： | 微晶硅 底栅薄膜晶体管 起始层 硅烷浓度 晶化体积比 |
Study of Bottom-Gate μc-Si TFTs |
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| Li Juan,Zhang Xiaodan,Liu Jianping,Zhao Shuyun,Wu Chunya,Meng Zhiguo,Zhang Fang,Xiong Shaozhen.Study of Bottom-Gate μc-Si TFTs[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(7). |
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| Authors: | Li Juan Zhang Xiaodan Liu Jianping Zhao Shuyun Wu Chunya Meng Zhiguo Zhang Fang Xiong Shaozhen |
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