| 半导体激光器端面泵浦 Nd∶YAG激光器用In_(0.25)Ga_(0.75) As吸收体被动锁模兼做输出镜 |
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| 引用本文： | 王勇刚,马骁宇,张丙元,陈檬,李港,张志刚.半导体激光器端面泵浦 Nd∶YAG激光器用In_(0.25)Ga_(0.75) As吸收体被动锁模兼做输出镜[J].半导体学报,2004,25(12):1595-1598. |
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| 作者姓名： | 王勇刚 马骁宇 张丙元 陈檬 李港 张志刚 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 北京100083
(王勇刚，马骁宇)，北京工业大学激光工程学院 北京100022
(张丙元，陈檬，李港)，北京工业大学激光工程学院 北京100022(张志刚) |
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| 摘 要： | 用金属有机气相淀积方法生长了一种新型的吸收体——低温InGaAs(LT-In0.25Ga0.75As).用这种吸收体兼做输出镜,实现了1.06μm半导体端面泵浦Nd∶YAG激光器被动锁模,脉冲宽度为皮秒量级,重复率为150MHz
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| 关 键 词： | 半导体可饱和吸收镜 In0.25Ga0.75As 输出镜 锁模 |
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