| GaN HEMT器件22元件小信号模型 |
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| 引用本文： | 刘丹,陈晓娟,刘新宇,吴德馨.GaN HEMT器件22元件小信号模型[J].半导体学报,2007,28(9). |
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| 作者姓名： | 刘丹 陈晓娟 刘新宇 吴德馨 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 摘 要： | 采用了新型的包含22元件的GaN HEMT小信号模型,通过增加与栅源电容Cgs和栅漏电容Cgd并联的电导Ggsf和Ggdf来表征GaN HEMT栅漏电情况.结果表明22元件小信号模型拟合度提高,物理意义更为明确.同时重点改进了寄生电容参数的提取方法,可有效地提取新型栅场板、源场板器件小信号参数.由算法提取的参数值可准确反映GaN HEMT器件的物理特性.
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| 关 键 词： | GaN HEMT 小信号 优化 模拟 |
A 22-Element Small-Signal Model of GaN HEMT Devices |
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| Liu Dan,Chen Xiaojuan,Liu Xinyu,Wu Dexin.A 22-Element Small-Signal Model of GaN HEMT Devices[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(9). |
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| Authors: | Liu Dan Chen Xiaojuan Liu Xinyu Wu Dexin |
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