| Zn掺杂SnO2纳米线的制备与结构表征 |
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| 引用本文： | 孟慧,王聪.Zn掺杂SnO2纳米线的制备与结构表征[J].半导体学报,2007,28(Z1). |
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| 作者姓名： | 孟慧 王聪 |
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| 作者单位： | 北京航空航天大学理学院,凝聚态物理与材料物理研究中心,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，教育部跨世纪优秀人才培养计划，北京大学工程院研究基金 |
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| 摘 要： | 利用化学气相沉积(CVD)方法,通过金属Sn粉和Zn粉在770℃下与氧气直接反应,以金为催化剂,成功地在硅片基底上制备了Zn掺杂的SnO2纳米线.对其制备参数进行了优化,获得了分布均匀、表面光滑的纳米线,其平均直径约为50nm,长度可达几十微米.并利用X射线衍射(XRD)、能谱分析(EDX)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、透射电镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)等设备对其形貌、结构特征进行了表征.
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| 关 键 词： | SnO2纳米线 化学气相沉积 Zn掺杂 |
Growth and Characterization of Zn Doped SnO2 Nanowires |
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| Meng Hui,Wang Cong.Growth and Characterization of Zn Doped SnO2 Nanowires[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(Z1). |
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| Authors: | Meng Hui Wang Cong |
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