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| InN Stillinger-Weber参数:用于InxGa1-xN合金 | |
| 引用本文： | 雷华平,蒋寻涯,于广辉,Chen J,Petit S,Ruterana P,Nouet G.InN Stillinger-Weber参数:用于InxGa1-xN合金[J].半导体学报,2007,28(Z1). |
| 作者姓名： | 雷华平 蒋寻涯 于广辉 Chen J Petit S Ruterana P Nouet G |
| 作者单位： | 1. 薄膜界面结构和功能实验室(SIFCOM),国家科研中心混合实验室,UMR CNRS 6176,Caen 14050,法国;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 3. CAEN大学ALENCON技术学院,新材料性能研究室,Damigny,61250,法国 4. 薄膜界面结构和功能实验室(SIFCOM),国家科研中心混合实验室,UMR CNRS 6176,Caen,14050,法国 |
| 基金项目： | 欧盟(EU)居里·玛丽研究训练网络，法中政府科研合作框架协议(SIMIT(上海)-SlFCOM (Caen))资助项目 |
| 摘 要： | 使用Stillinger-Weber(SW)类型经典势,研究了InxGa1-xN合金的原子结构以及富铟Clusters引起的InGaN/GaN量子阱的形变.SW参数来自氮化铟晶体常数和闪锌矿及铅锌矿结构中的弹性常数.还给出了含有富铟团簇的量子阱的能量. |
| 关 键 词： | 氮化铟 SW参数 InGaN量子阱 富铟团簇 |
Stillinger-Weber Parameters for InN: Application to InxGa1-xN |
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| Lei Huaping,Jiang Xunya,Yu Guanghui,Chen J,Petit S,Ruterana P,Nouet G.Stillinger-Weber Parameters for InN: Application to InxGa1-xN[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(Z1). | |
| Authors: | Lei Huaping Jiang Xunya Yu Guanghui Chen J Petit S Ruterana P Nouet G |
| Abstract: | By using a Stillinger-Weber (SW) type empirical potential for InN,the atomic structures of InxGa1-xN alloys and the deformations induced by In-rich clusters in InGaN/GaN quantum wells are presented. The SW parameters are determined by fitting the lattice parameters and elastic constants of InN in wurtzite and zinc-blende structures. The energy of quantum wells containing In-rich clusters is investigated. |
| Keywords: | InN SW parameters InGaN quantum well In-rich cluster |
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