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| 200ps脉冲激发的MBEGaAs-Ga_(1-x)Al_xAs多量子阱异质结的光致发光特性 | |
| 引用本文： | 徐仲英,许继宗,李玉璋,郑宝真,徐俊英,庄蔚华,陈宗圭.200ps脉冲激发的MBEGaAs-Ga_(1-x)Al_xAs多量子阱异质结的光致发光特性[J].半导体学报,1986,7(3):319-323. |
| 作者姓名： | 徐仲英 许继宗 李玉璋 郑宝真 徐俊英 庄蔚华 陈宗圭 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 (徐仲英，许继宗，李玉璋，郑宝真，徐俊英，庄蔚华)，中国科学院半导体研究所(陈宗圭) |
| 摘 要： | 本文报道微微秒激光脉冲激发下分子束外延(MBE)生长的GaAs-Ca_(0.6)Al_(0.4)As多量子阱异质结构的光荧光特性.同时观察到发生在n=1,2,3电子子能带和相应重空穴子能带之间的激子跃迁.实验数据和理论计算符合较好.在理论计算中,我们考虑了实际势阱的有限深度和GaAs Γ_s~c导带的非抛物线性质.用所述计算方法确定阱宽可达到相当满意的精度. |
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